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霍爾效應測量系統 L79/HCS

產品簡介:霍爾效應測量系統 L79/HCS系統可用于半導體組件性能表征,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。

產品型號:

更新時間:2024-05-21

廠商性質:生產廠家

訪問量:3233

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產品介紹

霍爾效應測量系統 L79/HCS 介紹:

基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(zui高溫度可達240°C)可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。

基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V和I-R數據圖。

系統可測試多種材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可測量),金屬膜,氧化物等,樣品測試時便可完成系統功能演示。


霍爾效應測量系統 L79/HCS 特點:

•載流子濃度

•電阻率

•遷移率

•電導率

•α(水平電阻值/垂直電阻值)

•霍爾常數

•磁致電阻


技術參數:

輸入電流:500nA到10mA (500nA步長)

霍爾電壓:0.5到4.5V

極限分辨率:65pV

樣品形狀:15x15,20x20,25x25mm,高度可達5mm

磁場強度:可達 1T

傳感器:液氮溫度到240°C

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